IPP320N20N3G Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 7.2 EUR |
| 25+ | 6.79 EUR |
| 50+ | 6.39 EUR |
| 100+ | 6.03 EUR |
| 250+ | 5.76 EUR |
| 500+ | 5.52 EUR |
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Technische Details IPP320N20N3G Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 34A, Power dissipation: 136W, Case: TO220-3, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 29nC, Semiconductor structure: single transistor.
Weitere Produktangebote IPP320N20N3G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPP320N20N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 34A Power dissipation: 136W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 29nC Semiconductor structure: single transistor |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP320N20N3 G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Semiconductor structure: single transistor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Semiconductor structure: single transistor
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