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IPP320N20N3GXKSA1

IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.

Weitere Produktangebote IPP320N20N3GXKSA1 nach Preis ab 2.09 EUR bis 7.56 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP320N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 32mΩ
auf Bestellung 105 Stücke:
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21+4.07 EUR
24+3.65 EUR
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IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I_320N20N3G-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7821 Stücke:
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IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 INFINEON INFNS17045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 2268 Stücke:
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IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
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3+7.56 EUR
50+3.78 EUR
100+3.43 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.58 EUR
2000+2.4 EUR
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auf Bestellung 400 Stücke:
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400+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 32mΩ
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MOSFETs N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP320N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
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Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
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500+2.78 EUR
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2000+2.4 EUR
5000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPP320N20N3GXKSA1 ipp_b_i_320n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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