Produkte > Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld > IPP330P10NMAKSA1

IPP330P10NMAKSA1

Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde48dfab1c0f
Produktcode: 192733
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPP330P10NMAKSA1 nach Preis ab 3.19 EUR bis 8.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.11 EUR
10+4.22 EUR
500+3.66 EUR
1000+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde48dfab1c0f Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.11 EUR
50+4.22 EUR
100+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH