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IPP330P10NMAKSA1

Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde48dfab1c0f
Produktcode: 192733
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineonipp330p10nmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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500+3.33 EUR
1000+3.09 EUR
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineonipp330p10nmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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500+3.33 EUR
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineonipp330p10nmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
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52+3.36 EUR
100+3.14 EUR
500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineonipp330p10nmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
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52+3.39 EUR
53+3.24 EUR
100+2.99 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf P Channel Power Mosfet
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52+3.44 EUR
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf P Channel Power Mosfet
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineonipp330p10nmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3950 Stücke:
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164+4.05 EUR
500+3.8 EUR
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf P Channel Power Mosfet
auf Bestellung 5500 Stücke:
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500+4.08 EUR
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineonipp330p10nmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
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40+4.45 EUR
50+4.25 EUR
100+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineonipp330p10nmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
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40+4.47 EUR
50+4.37 EUR
100+3.95 EUR
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf P Channel Power Mosfet
auf Bestellung 440 Stücke:
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36+4.95 EUR
50+4.81 EUR
200+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp330p10nm-datasheet-v02_00-en.pdf P Channel Power Mosfet
auf Bestellung 257 Stücke:
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133+4.97 EUR
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies infineonipp330p10nmdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 22500 Stücke:
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500+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 INFINEON 3624251.pdf Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+10.82 EUR
100+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde48dfab1c0f Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.16 EUR
50+5.87 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPP330P10NMAKSA1 IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.63 EUR
10+6.72 EUR
100+5.62 EUR
500+5.21 EUR
1000+4.3 EUR
2500+4.19 EUR
5000+4.06 EUR
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IPP330P10NMAKSA1 infineonipp330p10nmdatasheetv0200en.pdf
IPP330P10NMAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+3.33 EUR
1000+3.09 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IPP330P10NMAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.36 EUR
100+3.14 EUR
500+2.75 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
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52+3.39 EUR
53+3.24 EUR
100+2.99 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
P Channel Power Mosfet
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Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IPP330P10NMAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
P Channel Power Mosfet
auf Bestellung 500 Stücke:
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500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP330P10NMAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+4.05 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
P Channel Power Mosfet
auf Bestellung 5500 Stücke:
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500+4.08 EUR
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Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
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40+4.45 EUR
50+4.25 EUR
100+3.78 EUR
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IPP330P10NMAKSA1
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Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
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40+4.47 EUR
50+4.37 EUR
100+3.95 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
P Channel Power Mosfet
auf Bestellung 440 Stücke:
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36+4.95 EUR
50+4.81 EUR
200+4.69 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
P Channel Power Mosfet
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 22500 Stücke:
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500+8.38 EUR
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IPP330P10NMAKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 471 Stücke:
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22+10.82 EUR
100+4.97 EUR
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IPP330P10NMAKSA1 Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde48dfab1c0f
IPP330P10NMAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
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2+11.16 EUR
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100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPP330P10NMAKSA1 Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf
IPP330P10NMAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+11.63 EUR
10+6.72 EUR
100+5.62 EUR
500+5.21 EUR
1000+4.3 EUR
2500+4.19 EUR
5000+4.06 EUR
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