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IPP410N30NAKSA1

IPP410N30NAKSA1 Infineon Technologies

101infineon-ipp410n30n-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b2b1.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP410N30NAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.

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IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 101infineon-ipp410n30n-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b2b1.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 101infineon-ipp410n30n-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b2b1.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 101infineon-ipp410n30n-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b2b1.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
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IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP410N30N_DS_v02_00_EN-1227121.pdf MOSFET MV POWER MOS
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IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b Description: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
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IPP410N30NAKSA1
Produktcode: 177758 		Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 101infineon-ipp410n30n-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624b0b249c014b2b1.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP410N30N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain current: 44A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 300V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP410N30N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain current: 44A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
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Case: PG-TO220-3
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