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IPP50R140CPXKSA1

IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies

ipp50r140cp_rev1.02.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 192W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies ipp50r140cp_rev1.02.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R140CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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26+6.85 EUR
46+3.84 EUR
100+3.45 EUR
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IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies ipp50r140cp_rev1.02.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP50R140CP-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3
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1+9.26 EUR
10+5.53 EUR
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500+3.81 EUR
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2500+3.47 EUR
5000+3.28 EUR
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IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123850733ed65ab Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
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3+9.32 EUR
50+4.82 EUR
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IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 INFINEON INFNS16993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
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43+5.47 EUR
100+4.26 EUR
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IPP50R140CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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186+3.56 EUR
500+3.34 EUR
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Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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48+3.57 EUR
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IPP50R140CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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26+6.85 EUR
46+3.76 EUR
100+3.32 EUR
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MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3
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Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
auf Bestellung 108 Stücke:
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3+9.32 EUR
50+4.82 EUR
100+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPP50R140CPXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 647 Stücke:
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24+10.47 EUR
43+5.47 EUR
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