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IPP50R140CPXKSA1

IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies

ipp50r140cp_rev1.02.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CP, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies ipp50r140cp_rev1.02.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R140CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123850733ed65ab Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
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50+3.41 EUR
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IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP50R140CP-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3
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10+3.84 EUR
100+3.5 EUR
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IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 INFINEON INFNS16993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IPP50R140CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4500 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPreis
34+4.41 EUR
50+2.86 EUR
100+2.57 EUR
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Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
33+4.44 EUR
49+2.94 EUR
100+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IPP50R140CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPP50R140CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
26+5.7 EUR
46+3.13 EUR
100+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPP50R140CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
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IPP50R140CPXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 766 Stücke:
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