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IPP50R190CEXKSA1

IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 127W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPP50R190CEXKSA1 IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R190CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 127W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 127W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.39 EUR
42+2.06 EUR
47+1.82 EUR
52+1.67 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPP50R190CEXKSA1 IPP50R190CEXKSA1 Infineon TIPP50r190ce_INFINEON_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TIPP50r190ce
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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50+3.87 EUR
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auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.97 EUR
82+2.12 EUR
83+2.05 EUR
100+1.84 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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45+3.97 EUR
82+2.07 EUR
83+1.98 EUR
100+1.75 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IPP50R190CEXKSA1 IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
50+2.62 EUR
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPP50R190CEXKSA1 IPP50R190CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002262909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
79+2.98 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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80+2.23 EUR
81+2.12 EUR
100+1.87 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.05 EUR
5000+1 EUR
10000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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292+2.26 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.81 EUR
10000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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292+2.26 EUR
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Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+2.38 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 127W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 127W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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26+3.39 EUR
42+2.06 EUR
47+1.82 EUR
52+1.67 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TIPP50r190ce
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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50+3.87 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.97 EUR
82+2.12 EUR
83+2.05 EUR
100+1.84 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
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Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
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IPP50R190CEXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
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