IPP50R280CEXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP50R280CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP50R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP50R280CEXKSA1 nach Preis ab 0.75 EUR bis 3.20 EUR
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Preis | ||||||||||||
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IPP50R280CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP50R280CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP50R280CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V |
auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP50R280CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP50R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP50R280CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP50R280CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| IPP50R280CEXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP50R280CEXKSA1 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP50R280CEXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET COOL MOS |
Produkt ist nicht verfügbar |