Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP50R380CEXKSA1
IPP50R380CEXKSA1

IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies

82706944233800dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e39841.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 70500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+1.21 EUR
31000+0.89 EUR
46500+0.81 EUR
62000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 500 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP50R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 98W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm.

Weitere Produktangebote IPP50R380CEXKSA1 nach Preis ab 0.8 EUR bis 3.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies 82706944233800dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e39841.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.11 EUR
140+1.27 EUR
200+1.23 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP50R380CE_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.29 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.81 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 Infineon Technologies IPx50R380CE_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0 Description: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
50+1.29 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002262830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP50R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
102+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R380CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Power dissipation: 73W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 9.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.38Ω
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 82706944233800dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e39841.pdf
IPP50R380CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.11 EUR
140+1.27 EUR
200+1.23 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 Infineon_IPP50R380CE_DS_v02_02_EN.pdf
IPP50R380CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.7 EUR
10+1.29 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.81 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 IPx50R380CE_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0
IPP50R380CEXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.73 EUR
50+1.29 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 INFN-S-A0002262830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP50R380CEXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP50R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+3.95 EUR
102+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CE-DTE.pdf
IPP50R380CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Power dissipation: 73W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 9.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.38Ω
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH