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IPP50R399CPXKSA1

IPP50R399CPXKSA1 Infineon Technologies

ipp50r399cp_rev1.0.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IPP50R399CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V.

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IPP50R399CPXKSA1 IPP50R399CPXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp50r399cp_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IPP50R399CPXKSA1 IPP50R399CPXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP50R399CP_rev2%5B1%5D.0.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385463e2666e0&folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060 Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
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