IPP60R016CM8XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP60R016CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: IPP60R016CM8XKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPP60R016CM8XKSA1 nach Preis ab 9.28 EUR bis 19.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP60R016CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R016CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
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IPP60R016CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPP60R016CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R016CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R016CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| IPP60R016CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IPP60R016CM8XKSA1 |
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