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IPP60R022S7XKSA1

Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
Produktcode: 187155
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 375A
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+12.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R022S7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.1 EUR
10+17.22 EUR
100+14.35 EUR
500+12.78 EUR
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IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 INFINEON 3092710.pdf Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.79 EUR
12+20.12 EUR
17+13.33 EUR
50+13.26 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IPP60R022S7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 375A
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220
auf Bestellung 48 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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10+17.22 EUR
100+14.35 EUR
500+12.78 EUR
1000+12.1 EUR
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IPP60R022S7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 58 Stücke:
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9+27.79 EUR
12+20.12 EUR
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