IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP60R022S7XKSA1 nach Preis ab 7.9 EUR bis 16.07 EUR
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IPP60R022S7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs HIGH POWER_NEW |
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IPP60R022S7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V |
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IPP60R022S7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPP60R022S7XKSA1 Produktcode: 187155
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| IPP60R022S7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP003393028 |
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IPP60R022S7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R022S7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R022S7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ S7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 390W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 375A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP60R022S7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ S7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 390W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 375A |
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