IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 145+ | 4.57 EUR |
| 500+ | 4.27 EUR |
| 1000+ | 3.94 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm.
Weitere Produktangebote IPP60R065S7XKSA1 nach Preis ab 3.52 EUR bis 13.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW PG-TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V |
auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IPP60R065S7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm |
auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IPP60R065S7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 6.07 EUR |
| 4000+ | 5.5 EUR |
| 6000+ | 5.03 EUR |
| 8000+ | 4.66 EUR |
| IPP60R065S7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 8.37 EUR |
| 38+ | 4.31 EUR |
| 50+ | 4.11 EUR |
| 100+ | 3.71 EUR |
| 250+ | 3.52 EUR |
| IPP60R065S7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 8.37 EUR |
| 38+ | 4.47 EUR |
| 50+ | 4.33 EUR |
| 100+ | 4.02 EUR |
| 250+ | 3.93 EUR |
| IPP60R065S7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.52 EUR |
| 10+ | 6.64 EUR |
| 100+ | 5.46 EUR |
| 500+ | 4.82 EUR |
| 1000+ | 4.27 EUR |
| IPP60R065S7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
Description: HIGH POWER_NEW PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.58 EUR |
| 50+ | 6.1 EUR |
| 100+ | 5.58 EUR |
| IPP60R065S7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 13.07 EUR |
| 37+ | 6.4 EUR |
| 100+ | 5.38 EUR |




