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IPP60R080P7

Produktcode: 152121
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP60R080P7 IPP60R080P7 Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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IPP60R080P7 IPP60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R080P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
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IPP60R080P7
IPP60R080P7
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
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IPP60R080P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
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