Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R099P6XKSA1
IPP60R099P6XKSA1

IPP60R099P6XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r099p6-ds-v02_01-en.pdffileid5546d461464245d301468f.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
21+7.1 EUR
50+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPP60R099P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPP60R099P6XKSA1 nach Preis ab 3.84 EUR bis 8.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R099P6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d461464245d301468f0e6251673a MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.62 EUR
10+5.35 EUR
100+4.88 EUR
500+3.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R099P6XKSA1 Infineon-IPA60R099P6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d461464245d301468f0e6251673a
IPP60R099P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+8.62 EUR
10+5.35 EUR
100+4.88 EUR
500+3.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R099P6XKSA1 INFN-S-A0001299570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R099P6XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH