IPP60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 117W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 6.38 EUR |
| 15+ | 5.74 EUR |
| 16+ | 5.43 EUR |
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Technische Details IPP60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 99mΩ, Mounting: THT, Power dissipation: 117W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 20A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: PG-TO220-3.
Weitere Produktangebote IPP60R099P7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPP60R099P7 | Infineon Technologies |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Packaging: Bulk Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPP60R099P7 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP60R099P7 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPP60R099P7 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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