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Technische Details IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.103 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPP60R120C7XKSA1 nach Preis ab 2.96 EUR bis 7.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IPP60R120C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R120C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V |
auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R120C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R120C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.103 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R120C7XKSA1 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPP60R120C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP60R120C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |