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IPP60R125CFD7XKSA1

Infineon-IPP60R125CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46261ff57770162002fb5292bb5
Produktcode: 224101
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP60R125CFD7XKSA1 IPP60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r125cfd7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 176 Stücke:
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176+3.81 EUR
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IPP60R125CFD7XKSA1 IPP60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r125cfd7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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26+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPP60R125CFD7XKSA1 IPP60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R125CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46261ff57770162002fb5292bb5 Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
auf Bestellung 74 Stücke:
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3+9.15 EUR
10+6.06 EUR
50+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPP60R125CFD7XKSA1 IPP60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineon_ipp60r125cfd7_ds_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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500+4.06 EUR
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IPP60R125CFD7XKSA1 IPP60R125CFD7XKSA1 INFINEON 2643893.pdf Description: INFINEON - IPP60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.92 EUR
33+7.24 EUR
100+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IPP60R125CFD7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
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AnzahlPrivatkunde
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IPP60R125CFD7XKSA1
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Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3
Packaging: Tube
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
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Description: INFINEON - IPP60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
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