IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies
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| 130+ | 4.07 EUR |
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Technische Details IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R125CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP60R125CPXKSA1 nach Preis ab 3.02 EUR bis 9.44 EUR
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IPP60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R125CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R125CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IPP60R125CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP60R125CPXKSA1 THT N channel transistors |
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IPP60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R125CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP |
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