Technische Details IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 176W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm.
Weitere Produktangebote IPP60R160P6XKSA1 nach Preis ab 1.7 EUR bis 2.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R160P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Drain-source voltage: 600V Technology: CoolMOS™ P6 |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R160P6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 176W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm |
auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160P6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 77+ | 1.91 EUR |
| 78+ | 1.86 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| IPP60R160P6XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P6
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ P6
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 35+ | 2.04 EUR |
| 37+ | 1.94 EUR |
| 39+ | 1.84 EUR |
| 41+ | 1.77 EUR |
| 50+ | 1.7 EUR |
| IPP60R160P6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 542 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 59+ | 2.45 EUR |
| 100+ | 2.21 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| IPP60R160P6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 198+ | 2.78 EUR |
| 500+ | 2.47 EUR |
| 1000+ | 2.22 EUR |
| IPP60R160P6XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
Description: INFINEON - IPP60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)




