Technische Details IPP60R160P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R160P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 81W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.
Weitere Produktangebote IPP60R160P7XKSA1 nach Preis ab 2.3 EUR bis 6.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1317 pF @ 400 V |
auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R160P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R160P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 81W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP60R160P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 2.95 EUR |
| 63+ | 2.77 EUR |
| IPP60R160P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 2.95 EUR |
| 63+ | 2.71 EUR |
| IPP60R160P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1317 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1317 pF @ 400 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.28 EUR |
| 50+ | 3.14 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.3 EUR |
| IPP60R160P7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R160P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: INFINEON - IPP60R160P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
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