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IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies

Name: IPP60R180C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 18700728-5
Price: 150.15 EUR
Availability: InStock

176infineon-ipp60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Technische Details IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPP60R180C7XKSA1 nach Preis ab 1.65 EUR bis 5.10 EUR

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Bezeichnung

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Beschreibung

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IPP60R180C7XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP60R180C7XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP60R180C7XKSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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22+	3.36 EUR
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IPP60R180C7XKSA1

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IPP60R180C7XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon-IPP60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d483fe4ba707b

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V

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50+	2.53 EUR
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IPP60R180C7XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IPP60R180C7_DS_v02_00_EN-1731969.pdf

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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10+	2.29 EUR
100+	2.15 EUR
250+	2.13 EUR
500+	1.92 EUR
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IPP60R180C7XKSA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IPP60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IPP60R180C7XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP60R180C7XKSA1
Produktcode: 168211

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