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IPP60R180C7XKSA1

Infineon-IPP60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d483fe4ba707b
Produktcode: 168211
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r180c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r180c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.9 EUR
62+2.83 EUR
100+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r180c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.9 EUR
62+2.77 EUR
100+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R180C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.44 EUR
23+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R180C7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+4.66 EUR
100+3.42 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.53 EUR
2500+2.49 EUR
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IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d483fe4ba707b Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001117545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.82 EUR
59+3.99 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r180c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r180c7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IPP60R180C7XKSA1 infineonipp60r180c7dsv0200en.pdf
IPP60R180C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP60R180C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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62+2.83 EUR
100+2.55 EUR
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IPP60R180C7XKSA1 infineonipp60r180c7dsv0200en.pdf
IPP60R180C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 465 Stücke:
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62+2.77 EUR
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IPP60R180C7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPP60R180C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.14 EUR
10+4.66 EUR
100+3.42 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.53 EUR
2500+2.49 EUR
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IPP60R180C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IPP60R180C7XKSA1 INFN-S-A0001117545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R180C7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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32+7.82 EUR
59+3.99 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IPP60R180C7XKSA1 infineonipp60r180c7dsv0200en.pdf
IPP60R180C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IPP60R180C7XKSA1 infineonipp60r180c7dsv0200en.pdf
IPP60R180C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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