IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP60R180CM8XKSA1 nach Preis ab 1.18 EUR bis 3.17 EUR
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IPP60R180CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R180CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R180CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
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IPP60R180CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPP60R180CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V |
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IPP60R180CM8XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPP60R180CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| IPP60R180CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IPP60R180CM8XKSA1 |
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