IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, Verlustleistung: 142W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.
Weitere Produktangebote IPP60R180CM8XKSA1 nach Preis ab 1.55 EUR bis 5.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IPP60R180CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V |
auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 1792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R180CM8XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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auf Bestellung 1000 Stücke:
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| 500+ | 1.55 EUR |
| IPP60R180CM8XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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| 500+ | 2.5 EUR |
| 9000+ | 2.26 EUR |
| 13500+ | 2.06 EUR |
| IPP60R180CM8XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 2.7 EUR |
| IPP60R180CM8XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 2.7 EUR |
| 93+ | 1.81 EUR |
| 94+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.57 EUR |
| IPP60R180CM8XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPP60R180CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
Description: IPP60R180CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
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| 4+ | 5.57 EUR |
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| 50+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| IPP60R180CM8XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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| 1+ | 5.59 EUR |
| 10+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| 1000+ | 1.93 EUR |
| 2500+ | 1.86 EUR |
| 5000+ | 1.82 EUR |