IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies
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|---|---|
| 230+ | 2.92 EUR |
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Technische Details IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 72W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.
Weitere Produktangebote IPP60R180P7XKSA1 nach Preis ab 2.31 EUR bis 8.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V |
auf Bestellung 8945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R180P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 72W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 72W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R180P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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|---|---|
| 39+ | 4.58 EUR |
| IPP60R180P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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|---|---|
| 39+ | 4.58 EUR |
| IPP60R180P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
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|---|---|
| 36+ | 4.97 EUR |
| IPP60R180P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 185 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 36+ | 5 EUR |
| IPP60R180P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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|---|---|
| 1+ | 6.37 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
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| 500+ | 2.31 EUR |
| IPP60R180P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 8945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.51 EUR |
| 10+ | 4.22 EUR |
| 50+ | 3.24 EUR |
| 100+ | 2.93 EUR |
| 500+ | 2.37 EUR |
| IPP60R180P7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
Description: INFINEON - IPP60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 8.43 EUR |
| 60+ | 3.93 EUR |
| 100+ | 3.11 EUR |
| IPP60R180P7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)