Weitere Produktangebote IPP60R190C6XKSA1 nach Preis ab 1.36 EUR bis 5.72 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 5244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 5248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6 |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP60R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |