Weitere Produktangebote IPP60R190C6XKSA1 nach Preis ab 2.12 EUR bis 7.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6 |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
auf Bestellung 511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP60R190C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 2.12 EUR |
| IPP60R190C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 246+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.49 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| IPP60R190C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 3.27 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| IPP60R190C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 3.36 EUR |
| 100+ | 2.95 EUR |
| 500+ | 2.3 EUR |
| IPP60R190C6XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 4.68 EUR |
| IPP60R190C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6
MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.25 EUR |
| 10+ | 4.71 EUR |
| 100+ | 3.44 EUR |
| 500+ | 2.89 EUR |
| 1000+ | 2.67 EUR |
| 2500+ | 2.51 EUR |
| IPP60R190C6XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
auf Bestellung 2414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.25 EUR |
| 50+ | 3.67 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
| 500+ | 2.71 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
| 2000+ | 2.34 EUR |
| IPP60R190C6XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: INFINEON - IPP60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.72 EUR |
| 58+ | 4.03 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 500+ | 2.63 EUR |
| IPP60R190C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






