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IPP60R190P6XKSA1

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Produktcode: 155590
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.82 EUR
43+1.67 EUR
50+1.59 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.03 EUR
1000+1.65 EUR
2500+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.5 EUR
500+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.18 EUR
64+2.27 EUR
100+2.02 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.39 EUR
64+2.22 EUR
100+1.94 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.4 EUR
64+2.27 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
2500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPX60R190P6_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
auf Bestellung 7695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+2.62 EUR
100+2.36 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.76 EUR
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPP60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37a818ba23e7 Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
auf Bestellung 10727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.66 EUR
50+2.33 EUR
100+2.11 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 INFINEON INFNS27617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon DS_IPP60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37a818ba23e7 Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP60R190P6XKSA1 TIPP60r190p6
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6-DTE.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
40+1.82 EUR
43+1.67 EUR
50+1.59 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IPP60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
500+2.03 EUR
1000+1.65 EUR
2500+1.53 EUR
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IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
219+2.5 EUR
500+2.22 EUR
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IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
35+4.18 EUR
64+2.27 EUR
100+2.02 EUR
500+1.65 EUR
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IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2688 Stücke:
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AnzahlPreis
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64+2.22 EUR
100+1.94 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.25 EUR
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IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2688 Stücke:
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AnzahlPreis
34+4.4 EUR
64+2.27 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
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2500+1.4 EUR
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IPP60R190P6XKSA1 Infineon_IPX60R190P6_DS_v02_02_EN.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
auf Bestellung 7695 Stücke:
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AnzahlPreis
1+4.66 EUR
10+2.62 EUR
100+2.36 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.76 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
auf Bestellung 10727 Stücke:
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4+4.66 EUR
50+2.33 EUR
100+2.11 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R190P6XKSA1 DS_IPP60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37a818ba23e7
IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP60R190P6XKSA1 TIPP60r190p6
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R190P6XKSA1 infineonipb60r190p6dsv0202en.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH