IPP60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 600V TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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Technische Details IPP60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ CFD7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 5A, Power dissipation: 43W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 674mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 24A.
Weitere Produktangebote IPP60R360CFD7XKSA1 nach Preis ab 1.4 EUR bis 3.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R360CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Y
MOSFETs Y
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.08 EUR |
| 10+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| 250+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 1000+ | 1.47 EUR |
| 2500+ | 1.4 EUR |