IPP60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R360CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPP60R360CFD7XKSA1 nach Preis ab 1.29 EUR bis 3.08 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 9795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 600V TO220-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
auf Bestellung 33745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R360CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R360CFD7XKSA1 - IPP60R360CFD7 600V COOLMOS N-CHANNEL PO tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 674mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 24A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 600V TO220-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 674mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 24A |
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