IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 1.81 EUR |
| 52+ | 1.67 EUR |
| 59+ | 1.45 EUR |
| 72+ | 1.19 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
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Technische Details IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 6A, Power dissipation: 41W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Weitere Produktangebote IPP60R360P7XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R360P7 | Infineon |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP60R360P7 |
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Hersteller: Infineon
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)