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IPP60R600E6XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Name: IPP60R600E6XKSA1
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: 459848694-1
Price: 71.5 EUR
Availability: BackOrder

INFN-S-A0001299750-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600E6XKSA1 - IPP60R600 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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Technische Details IPP60R600E6XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ E6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7.3A, Power dissipation: 63W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote IPP60R600E6XKSA1

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IPP60R600E6XKSA1	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP60R600E6XKSA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: IPP60R600 - COOLMOS N-CHANNEL PO	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP60R600E6XKSA1	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.3A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH