IPP65R045C7XKSA1
Produktcode: 101820
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ZCODE: 8541290010
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Weitere Produktangebote IPP65R045C7XKSA1 nach Preis ab 6.61 EUR bis 19.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPP65R045C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 44500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R045C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R045C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7 |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP65R045C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R045C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R045C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP65R045C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R045C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP65R045C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |