Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R090CFD7XKSA1
IPP65R090CFD7XKSA1

IPP65R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipp65r090cfd7datasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
146+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 146 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPP65R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 127W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm.

Weitere Produktangebote IPP65R090CFD7XKSA1 nach Preis ab 5.18 EUR bis 14.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP65R090CFD7XKSA1 IPP65R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef5665e49f0 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.29 EUR
50+5.96 EUR
100+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R090CFD7XKSA1 IPP65R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineon_ipp65r090cfd7_datasheet_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.1 EUR
10+6.43 EUR
100+5.87 EUR
500+5.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R090CFD7XKSA1 IPP65R090CFD7XKSA1 INFINEON 3189135.pdf Description: INFINEON - IPP65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.45 EUR
31+7.62 EUR
100+6 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R090CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef5665e49f0
IPP65R090CFD7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.29 EUR
50+5.96 EUR
100+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R090CFD7XKSA1 infineon_ipp65r090cfd7_datasheet_en.pdf
IPP65R090CFD7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.1 EUR
10+6.43 EUR
100+5.87 EUR
500+5.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R090CFD7XKSA1 3189135.pdf
IPP65R090CFD7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.45 EUR
31+7.62 EUR
100+6 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH