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IPP65R155CFD7XKSA1

IPP65R155CFD7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp65r155cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP65R155CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 77W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP65R155CFD7XKSA1 IPP65R155CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R155CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d0be97bab Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
50+4.63 EUR
100+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IPP65R155CFD7XKSA1 IPP65R155CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R155CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
25+3.31 EUR
100+3.12 EUR
500+3.09 EUR
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IPP65R155CFD7XKSA1 IPP65R155CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R155CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d0be97bab Description: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.52 EUR
56+4.15 EUR
100+3.38 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.84 EUR
50+4.63 EUR
100+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 259 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+6.24 EUR
25+3.31 EUR
100+3.12 EUR
500+3.09 EUR
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IPP65R155CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R155CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d0be97bab
IPP65R155CFD7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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30+8.52 EUR
56+4.15 EUR
100+3.38 EUR
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