IPP65R190C6XKSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
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Qualifikation: -
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details IPP65R190C6XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 151W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP65R190C6XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPP65R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP65R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R190C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP65R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V |
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IPP65R190C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP65R190C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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