IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
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| 36+ | 4.93 EUR |
| 50+ | 4.81 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
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Technische Details IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP65R190CFD7XKSA1 nach Preis ab 2.31 EUR bis 6.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPP65R190CFD7XKSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R190CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP65R190CFD7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP65R190CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.161 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 41+ | 6.22 EUR |
| 54+ | 4.32 EUR |
| 100+ | 2.63 EUR |
| IPP65R190CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 6.89 EUR |
| 10+ | 4.5 EUR |
| 100+ | 3.17 EUR |
| 500+ | 2.45 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |