Weitere Produktangebote IPP65R225C7XKSA1 nach Preis ab 1.34 EUR bis 3.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPP65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 |
auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP65R225C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP65R225C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP65R225C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.225Ω Drain current: 11A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 63W Drain-source voltage: 650V Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |