IPP80N06S209AKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP80N06S209AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0076 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 80, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 190, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 190, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).