IPP80N08S2L07AKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 91+ | 3.53 EUR |
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Technische Details IPP80N08S2L07AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75, Dauer-Drainstrom Id: 80, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IPP80N08S2L07AKSA1 nach Preis ab 5.51 EUR bis 8.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IPP80N08S2L07AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP80N08S2L07AKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP80N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 80 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP80N08S2L07AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP80N08S2L07AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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