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Technische Details IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPP80P03P4L04AKSA2 nach Preis ab 2.53 EUR bis 5.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP80P03P4L04AKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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IPP80P03P4L04AKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Power MOSFET Transistor |
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IPP80P03P4L04AKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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