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IPP80P03P4L04AKSA2

IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies

infineon-i80p03p4l_04-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies Infineon_I80P03P4L_04_DataSheet_v01_01_EN-3361954.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7 Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
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IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04AKSA2 INFINEON Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7 Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7 Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04 TIPP80p03p4l04
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPP80P03P4L04AKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
auf Bestellung 451 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7
IPP80P03P4L04AKSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1110 Stücke:
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43+5.5 EUR
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1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04 TIPP80p03p4l04
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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