IPP80R1K2P7 Infineon Technologies


INFN-S-A0004583972-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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Technische Details IPP80R1K2P7 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 3.1A, Power dissipation: 37W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.2Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 11nC, Version: ESD.

Weitere Produktangebote IPP80R1K2P7 nach Preis ab 1.54 EUR bis 2.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP80R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
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40+2.14 EUR
48+1.78 EUR
50+1.71 EUR
54+1.58 EUR
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IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
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On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
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Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
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