IPP80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Kind of package: tube
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Technische Details IPP80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 8.6A, Power dissipation: 84W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 30nC, Version: ESD, Kind of package: tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPP80R360P7 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER_NEW |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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