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IPP90R1K2C3XKSA1

IPP90R1K2C3XKSA1 Infineon Technologies

infineonipp90r1k2c3dsv0100en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP90R1K2C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V.

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IPP90R1K2C3XKSA1 IPP90R1K2C3XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipp90r1k2c3dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
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