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IPQC60R040S7AXTMA1

IPQC60R040S7AXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPQC60R040S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150cb48e6cfc
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IPQC60R040S7AXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPQC60R040S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.036 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 272W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.

Weitere Produktangebote IPQC60R040S7AXTMA1 nach Preis ab 8.69 EUR bis 19.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPQC60R040S7AXTMA1 IPQC60R040S7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPQC60R040S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150cb48e6cfc Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
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auf Bestellung 729 Stücke:
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1+15.33 EUR
10+13.15 EUR
25+12.29 EUR
100+10.95 EUR
250+10.6 EUR
500+9.95 EUR
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IPQC60R040S7AXTMA1 IPQC60R040S7AXTMA1 INFINEON 3968283.pdf Description: INFINEON - IPQC60R040S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.036 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
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13+19.99 EUR
16+14.76 EUR
18+12.32 EUR
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250+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPQC60R040S7AXTMA1 Infineon-IPQC60R040S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150cb48e6cfc
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
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