IPS022G

IPS022G IR


IPS022G.pdf
Produktcode: 27707
Hersteller: IR
Gehäuse: SOIC-8
Beschreibung: DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
Spannung: 4…6V
Bemerkung: Rise Time:0.9us/Fall Time:1.3us
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Technische Details IPS022G IR

  • MOSFET, SMART SWITCH SO-8
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:47V
  • On State Resistance:0.15ohm
  • Power Dissipation:1W
  • Transistor Case Style:SO
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SO-8 (SOIC-8)
  • Clamping Voltage:50V
  • Cont Current Id:1A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max ESD Protection Voltage:4kV
  • Max Input Low Voltage:0.5V
  • Min Input High Voltage:4V
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation Pd:1W
  • SMD Marking:IPS022G
  • Shutdown Current:5A
  • Shutdown Temperature:165`C
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:Smart MOSFET
  • Turn Off Time, t Off:1.5ms
  • Turn On Time, t On:1.5ms

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