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IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPS65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7a3c90c1e8a
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
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Technische Details IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: TO-251, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPS65R1K0CEAKMA1 IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPS65R1K0CE-DS-v02_02-EN-1226266.pdf MOSFET N-Ch 650V 4.3A IPAK-3
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IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPS65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7a3c90c1e8a Trans MOSFET N-CH 700V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 1487 Stücke:
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IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon-IPS65R1K0CE-DS-v02_02-EN-1226266.pdf
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MOSFET N-Ch 650V 4.3A IPAK-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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