Technische Details IPS65R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL, Mounting: THT, Power dissipation: 28W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Drain current: 3.1A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: IPAK SL, On-state resistance: 1.5Ω.
Weitere Produktangebote IPS65R1K5CEAKMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPS65R1K5CEAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL Mounting: THT Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 3.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: IPAK SL On-state resistance: 1.5Ω |
auf Bestellung 571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPS65R1K5CEAKMA1 | Rochester Electronics, LLC |
Description: MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251 |
auf Bestellung 79057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1251 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPS65R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
auf Bestellung 1347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPS65R1K5CEAKMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Mounting: THT
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK SL
On-state resistance: 1.5Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Mounting: THT
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK SL
On-state resistance: 1.5Ω
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPS65R1K5CEAKMA1 |
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Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
Description: MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
auf Bestellung 79057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| IPS65R1K5CEAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)