Technische Details IPS70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPS70R360P7SAKMA1 nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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IPS70R360P7SAKMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPS70R360P7SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPS70R360P7SAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N |
auf Bestellung 16180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPS70R360P7SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPS70R360P7SAKMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPS70R360P7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.74 EUR |
| IPS70R360P7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 1.75 EUR |
| 110+ | 1.57 EUR |
| 135+ | 1.25 EUR |
| 200+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 1500+ | 0.93 EUR |
| 3000+ | 0.89 EUR |
| IPS70R360P7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
MOSFETs N
auf Bestellung 16180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.87 EUR |
| 10+ | 2.03 EUR |
| 100+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 1500+ | 0.87 EUR |
| 4500+ | 0.76 EUR |
| IPS70R360P7SAKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPS70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 2.88 EUR |
| 158+ | 1.48 EUR |
| 318+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| IPS70R360P7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)