Technische Details IPS70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43.1W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPS70R600P7SAKMA1 nach Preis ab 0.49 EUR bis 2.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPS70R600P7SAKMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPS70R600P7SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPS70R600P7SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPS70R600P7SAKMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO251-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) |
auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPS70R600P7SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 43.1W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPS70R600P7SAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 4890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS70R600P7SAKMA1 | Infineon |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPS70R600P7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 175+ | 1 EUR |
| IPS70R600P7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 152+ | 1.14 EUR |
| 173+ | 0.98 EUR |
| IPS70R600P7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 138+ | 1.26 EUR |
| 162+ | 1.06 EUR |
| 190+ | 0.89 EUR |
| 200+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 1500+ | 0.68 EUR |
| IPS70R600P7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.71 EUR |
| 75+ | 0.49 EUR |
| IPS70R600P7SAKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPS70R600P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 119+ | 2.11 EUR |
| 190+ | 1.23 EUR |
| 262+ | 0.82 EUR |
| IPS70R600P7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.28 EUR |
| 10+ | 1.44 EUR |
| 100+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| 1500+ | 0.95 EUR |
| 4500+ | 0.84 EUR |
| 10500+ | 0.62 EUR |
| IPS70R600P7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)