IPT015N10N5 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 13.44 EUR |
| 25+ | 12.67 EUR |
| 50+ | 11.92 EUR |
| 100+ | 11.27 EUR |
| 250+ | 10.76 EUR |
| 500+ | 10.31 EUR |
| 1000+ | 9.82 EUR |
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Technische Details IPT015N10N5 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 353A; Idm: 1200A; automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 353A, Pulsed drain current: 1.2kA, On-state resistance: 1.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 169nC, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote IPT015N10N5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IPT015N10N5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 353A; Idm: 1200A; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 353A Pulsed drain current: 1.2kA On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 169nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
auf Bestellung 1231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPT015N10N5 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 353A; Idm: 1200A; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 353A
Pulsed drain current: 1.2kA
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 353A; Idm: 1200A; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 353A
Pulsed drain current: 1.2kA
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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