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IPT015N10N5ATMA1 транзистор

Produktcode: 224134
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
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IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10n5dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
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IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipt015n10n5_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
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10+6.37 EUR
100+5.84 EUR
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IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON 3961671.pdf Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.92 EUR
50+9.28 EUR
100+6.21 EUR
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IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON 3961671.pdf Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3888 Stücke:
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IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 38000 Stücke:
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IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
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IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
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2000+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 17261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+5.41 EUR
500+5.05 EUR
1000+4.66 EUR
10000+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 21611 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
122+5.41 EUR
500+5.05 EUR
1000+4.66 EUR
10000+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 849 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
17+10.56 EUR
26+6.9 EUR
50+6.02 EUR
100+4.94 EUR
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IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.92 EUR
25+6.99 EUR
50+6 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPT015N10N5ATMA1 Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 38171 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+11.96 EUR
10+8.03 EUR
50+6.34 EUR
100+5.8 EUR
500+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPT015N10N5ATMA1 infineon_ipt015n10n5_datasheet_en.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8
auf Bestellung 43077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.02 EUR
10+6.37 EUR
100+5.84 EUR
500+5.45 EUR
1000+5.21 EUR
2000+5.13 EUR
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IPT015N10N5ATMA1 3961671.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.92 EUR
50+9.28 EUR
100+6.21 EUR
500+5.78 EUR
1000+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPT015N10N5ATMA1 3961671.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.92 EUR
50+9.28 EUR
100+6.21 EUR
500+5.78 EUR
1000+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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