| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.25 EUR |
| 10+ | 6.72 EUR |
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Technische Details IPT020N10N3 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 300A, Pulsed drain current: 1.2kA, Power dissipation: 375W, Case: HSOF-8, On-state resistance: 2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 156nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 3, Application: automotive industry, Semiconductor structure: single transistor.
Weitere Produktangebote IPT020N10N3 nach Preis ab 13.3 EUR bis 18.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPT020N10N3 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT020N10N3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: HSOF-8 On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Application: automotive industry Semiconductor structure: single transistor |
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPT020N10N3 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 18.35 EUR |
| 25+ | 17.24 EUR |
| 50+ | 16.2 EUR |
| 100+ | 15.28 EUR |
| 250+ | 14.58 EUR |
| 500+ | 13.96 EUR |
| 1000+ | 13.3 EUR |
| IPT020N10N3 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
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