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IPT023N10NM5LF2ATMA1

IPT023N10NM5LF2ATMA1 INFINEON

4409621.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.33 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details IPT023N10NM5LF2ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 243A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 INFINEON 4409621.pdf Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.65 EUR
36+6.57 EUR
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1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IPT023N10NM5LF2_1_0_final.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.85 EUR
10+7.96 EUR
100+5.74 EUR
500+5.4 EUR
1000+5.05 EUR
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IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT023N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191e9ae9d251ac3 Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.17 EUR
10+8.16 EUR
50+6.45 EUR
100+5.89 EUR
500+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPT023N10NM5LF2ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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36+6.57 EUR
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500+3.75 EUR
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MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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1+11.85 EUR
10+7.96 EUR
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500+5.4 EUR
1000+5.05 EUR
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IPT023N10NM5LF2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
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